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IS63LV1024-8KI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

Le circuit intégré IS63LV1024-8KI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire SRAM asynchrone de 1 Mbit haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile, médical, aérospatial et des télécommunications. Cette mémoire à interface parallèle offre un temps d'accès rapide de 8 ns et une organisation de 128 Ko x 8, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués nécessitant un accès rapide aux données et une longue durée de vie.

Principales caractéristiques et avantages :

  • Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 8 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation de la mémoire fiable : la configuration 128K x 8 offre une architecture de stockage de données flexible
  • Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C (TA) pour une fiabilité de niveau industriel
  • Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3,15 V à 3,45 V pour une efficacité énergétique optimale.
  • Boîtier CMS : boîtier 32-BSOJ/32-SOJ optimisé pour l’assemblage automatisé
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales et réglementaires des marchés mondiaux
  • Longue durée de vie : garantie par l'engagement d'ISSI en faveur d'une disponibilité produit prolongée

Applications :

Idéal pour les systèmes aérospatiaux, l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et toute application nécessitant une mémoire volatile haute fiabilité avec une disponibilité à long terme et une traçabilité complète.

Spécifications techniques complètes :

Assurance qualité : Tous les composants proviennent de circuits de distribution agréés, garantissant une traçabilité complète du fabricant et conformes aux réglementations RoHS/REACH. Les spécifications et la documentation du fabricant d’origine sont conservées afin de faciliter l’intégration et la gestion du cycle de vie du produit.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 8ns
Temps d'accès 8 ns
Tension - Alimentation 3,15 V ~ 3,45 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY