Passer aux informations produits
1 de 1
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
Prix habituel Dhs. 8.92
Prix habituel Dhs. 9.40 Prix promotionnel Dhs. 8.92
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 8.92 Dhs. 8.92
15+ Dhs. 8.65 Dhs. 129.75
25+ Dhs. 8.46 Dhs. 211.50
50+ Dhs. 7.99 Dhs. 399.50
100+ Dhs. 7.05 Dhs. 705.00
N+ Dhs. 1.41 Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Component Recycling

Request Quote / Inquiry

IS63LV1024L-12BI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

L' IS63LV1024L-12BI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone de 1 Mbit à haute fiabilité conçu pour les systèmes embarqués critiques nécessitant des temps d'accès rapides et des performances stables sur des plages de température étendues.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès ultra-rapide : un temps d'accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
  • Organisation flexible de la mémoire : la configuration 128 Ko x 8 offre un équilibre optimal pour les architectures de systèmes embarqués.
  • Interface parallèle fiable : interface mémoire parallèle éprouvée pour une communication de données robuste
  • Plage de températures industrielles : plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour des conditions environnementales difficiles.
  • Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 36 miniBGA (8 x 10) optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Applications idéales

Ce circuit intégré de mémoire SRAM volatile est parfaitement adapté aux applications aérospatiales, automobiles, aux systèmes de contrôle industriels, aux dispositifs médicaux, aux équipements de télécommunications et à d'autres applications exigeant une mise en mémoire tampon de données à haute vitesse, une mémoire cache ou un stockage temporaire de données avec des performances garanties.

Spécifications techniques

Pourquoi choisir HQICKEY pour vos besoins en circuits intégrés de mémoire ?

Chez HQICKEY , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs de qualité industrielle, avec une authenticité garantie, une traçabilité complète et un support technique. Notre vaste gamme de circuits intégrés mémoire comprend des solutions SRAM, DRAM, Flash et EEPROM de fabricants leaders pour les applications critiques.

Restez informé des dernières technologies en matière de semi-conducteurs, des tendances du secteur et des nouveaux produits en visitant notre blog technique .

Commandez en toute confiance : tous nos produits sont expédiés avec une documentation complète, des certifications de qualité et notre engagement à assurer leur disponibilité tout au long de leur cycle de vie.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 3,15 V ~ 3,45 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 36-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 36 miniBGA (8x10)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY