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IS63WV1024BLL-12HLI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

Le circuit intégré IS63WV1024BLL-12HLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone haut de gamme de 1 Mbit conçue pour les applications embarquées, industrielles et automobiles exigeantes. Grâce à son temps d'accès ultrarapide de 12 ns et à sa plage de températures de fonctionnement robuste de -40 °C à 85 °C, ce composant mémoire offre des performances fiables dans les systèmes critiques.

Principales caractéristiques et avantages :

  • Performances haute vitesse : un temps d'accès de 12 ns et un temps de cycle d'écriture de 12 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en temps réel.
  • Configuration mémoire optimale : capacité de 1 Mbit organisée en 128 Ko x 8, offrant une architecture de stockage de données flexible
  • Large plage de tension : la tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V prend en charge diverses conceptions de systèmes et exigences en matière d’alimentation.
  • Fiabilité de qualité industrielle : sa plage de températures étendue (-40 °C à 85 °C) la rend idéale pour les environnements difficiles.
  • Interface parallèle : L’interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs.
  • Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier 32-TFSOP (32-sTSOP I) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé tout en garantissant d’excellentes performances thermiques.
  • Conforme à la norme RoHS : Conception respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales :

Cette SRAM asynchrone est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués, aux équipements de contrôle industriel, à l'électronique automobile, aux dispositifs IoT, à la mise en mémoire tampon des données, à la mémoire cache et aux applications de support FPGA/ASIC où une mémoire volatile rapide et fiable est essentielle.

Spécifications techniques :

Pourquoi choisir HQICKEY pour vos composants de mémoire ?

Chez HQICKEY , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs authentiques et de haute qualité, assortis d'un support technique garanti tout au long de leur cycle de vie. Notre vaste gamme de produits de mémoire comprend des mémoires SRAM, DRAM et Flash, ainsi que des solutions de mémoire spécialisées pour les applications embarquées, industrielles et automobiles.

Ressources et assistance techniques :

Besoin de conseils de conception, de fiches techniques ou de notes d'application ? Consultez notre blog technique pour des articles approfondis, des conseils de conception et les dernières tendances de l'industrie des semi-conducteurs afin d'optimiser vos conceptions.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-TFSOP (0,465", largeur 11,80 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-sTSOP I
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY