ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63WV1288DBLL-10HLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 5.39 | Dhs. 5.39 |
| 15+ | Dhs. 5.23 | Dhs. 78.45 |
| 25+ | Dhs. 5.12 | Dhs. 128.00 |
| 50+ | Dhs. 4.84 | Dhs. 242.00 |
| 100+ | Dhs. 4.27 | Dhs. 427.00 |
| N+ | Dhs. 0.85 | Price Inquiry |
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IS63WV1288DBLL-10HLI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
Le IS63WV1288DBLL-10HLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone de 1 Mbit de qualité supérieure conçu pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle, l'électronique automobile et les applications IoT nécessitant un stockage de mémoire volatile rapide et fiable.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès ultra-rapide : un temps d'accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Organisation flexible de la mémoire : la configuration 128K x 8 offre un équilibre optimal pour les opérations orientées octet.
- Large plage de tension : fonctionnement de 2,4 V à 3,6 V, compatible avec diverses exigences d’alimentation.
- Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
- Boîtier compact : le boîtier CMS 32-TSOP (32-TFSOP, largeur 11,80 mm) optimise l'espace sur le circuit imprimé.
- Interface parallèle : L’interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration avec les microprocesseurs et les contrôleurs.
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Applications idéales
Cette mémoire SRAM haute vitesse est idéale pour la mémoire cache, le stockage tampon, l'enregistrement de données, les systèmes temps réel, les équipements de réseau, les dispositifs médicaux et toute application nécessitant un stockage de données temporaire rapide avec accès parallèle.
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Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 2,4 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-TFSOP (0,465", largeur 11,80 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-TSOP I |
| RoHS |

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