ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV12816EDBLL-10BLA3-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 17.31 | Dhs. 17.31 |
| 15+ | Dhs. 16.75 | Dhs. 251.25 |
| 25+ | Dhs. 16.39 | Dhs. 409.75 |
| 50+ | Dhs. 15.48 | Dhs. 774.00 |
| 100+ | Dhs. 13.66 | Dhs. 1,366.00 |
| N+ | Dhs. 2.73 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
ISSI IS64WV12816EDBLL-10BLA3-TR - SRAM asynchrone 2 Mbit
La puce IS64WV12816EDBLL-10BLA3-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit conçue pour les applications exigeantes des secteurs automobile, industriel et des télécommunications. Ce circuit intégré mémoire présente une architecture 128K x 16 et un temps d'accès ultrarapide de 10 ns, ce qui le rend idéal pour la mise en mémoire tampon et la gestion des caches de données à haute vitesse.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 10 ns pour des opérations de données rapides.
- Fiabilité de qualité automobile : une plage de températures étendue (-40 °C à 125 °C) garantit un fonctionnement dans des environnements difficiles.
- Alimentation flexible : une large plage de tension (2,4 V à 3,6 V) prend en charge diverses configurations de systèmes.
- Boîtier compact : le boîtier CMS 48-TFBGA (6 x 8 mm) optimise l'espace sur la carte.
- Interface parallèle : L’interface parallèle standard simplifie l’intégration avec les conceptions existantes
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.
Applications typiques
Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux systèmes de contrôle automobile, à l'automatisation industrielle, aux équipements de réseau, aux infrastructures de télécommunications, aux systèmes embarqués nécessitant un accès rapide aux données et aux applications intégrées avec des exigences de cycle de vie long.
Avantages réservés aux distributeurs agréés
Nous fournissons des composants ISSI 100 % authentiques avec une traçabilité complète du fabricant, une documentation technique et des fiches techniques complètes, une assistance à l'intégration et des documents de référence, une expédition mondiale via des canaux autorisés et une disponibilité tout au long du cycle de vie pour soutenir vos programmes.
Spécifications techniques
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 2 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 2,4 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-TFBGA (6x8) |
| RoHS |  |
IS64WV12816EDBLL-10BLA3-TR.pdf