ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV12816EDBLL-10CTLA3-TR

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IS64WV12816EDBLL-10CTLA3-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit

Le circuit intégré IS64WV12816EDBLL-10CTLA3-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone 2 Mbit haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et du médical. Cette SRAM parallèle dispose d'une organisation mémoire de 128 Ko x 16 et d'un temps d'accès ultrarapide de 10 ns, ce qui la rend idéale pour la mise en mémoire tampon et la gestion de cache de données à haute vitesse.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances ultra-rapides : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 10 ns pour des opérations à haute vitesse
  • Large plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 125 °C (TA) pour les applications en environnements difficiles
  • Alimentation flexible : plage de tension de 2,4 V à 3,6 V pour une intégration système polyvalente
  • Conditionnement fiable : boîtier CMS 44-TSOP II avec livraison en bande et bobine
  • Interface parallèle : interface mémoire parallèle standard pour une intégration facile
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales

Applications

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux applications nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable, notamment les systèmes d'acquisition de données, les contrôleurs industriels, les équipements de réseau, l'électronique automobile et les systèmes embarqués où le support et la traçabilité tout au long du cycle de vie sont essentiels.

Spécifications techniques

Pourquoi choisir cette SRAM ?

En tant que distributeur agréé, nous assurons une traçabilité complète, un support technique tout au long du cycle de vie et des ressources d'intégration technique pour ce composant mémoire ISSI. Nos services à valeur ajoutée comprennent la livraison internationale, l'assurance qualité et un support technique expert pour garantir la réussite de votre projet.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 2 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 2,4 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY