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Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute vitesse IS64WV6416BLL-15TA3-TR

Le circuit intégré IS64WV6416BLL-15TA3-TR est une mémoire vive statique (SRAM) haute performance de 1 Mbit fabriquée par ISSI (Integrated Silicon Solution Inc). Cette SRAM asynchrone dispose d'une organisation mémoire de 64 Ko x 16 et d'un temps d'accès ultrarapide de 15 ns, ce qui la rend idéale pour les applications exigeant un accès rapide aux données et un stockage de mémoire volatile fiable.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : un temps d’accès et un temps de cycle d’écriture de 15 ns garantissent une latence minimale pour les applications critiques en termes de temps.
  • Large plage de tension de fonctionnement : la tension d’alimentation de 2,5 V à 3,6 V offre une grande flexibilité pour diverses conceptions de systèmes.
  • Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 125 °C (TA), adapté aux applications automobiles, industrielles et en environnements difficiles.
  • Interface parallèle : L’interface parallèle asynchrone standard simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs.
  • Boîtier CMS : boîtier 44-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) optimisé pour l’assemblage automatisé et les conceptions à espace restreint
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

Le modèle IS64WV6416BLL-15TA3-TR est conçu pour répondre aux exigences des applications dans de nombreux secteurs d'activité :

  • Électronique automobile et unités de contrôle moteur (ECU)
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Instrumentation médicale et équipement de diagnostic
  • Infrastructure de télécommunications
  • Systèmes aérospatiaux et de défense
  • Mise en mémoire tampon et cache de données à haute vitesse
  • Systèmes embarqués nécessitant un stockage temporaire rapide et fiable

Qualité et fiabilité

Fabriqué par ISSI, un leader dans la conception de circuits intégrés hautes performances, ce composant SRAM est soumis à des tests rigoureux et à un contrôle qualité strict. Sa plage de températures étendue et sa conformité à la directive RoHS témoignent de l'engagement d'ISSI en matière de fiabilité et de responsabilité environnementale, garantissant ainsi une disponibilité à long terme pour les applications critiques.

Produits et ressources connexes

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Remarque : Ce produit est conditionné en bande et bobine (TR) pour un assemblage automatisé de type pick-and-place. La documentation complète de traçabilité est disponible sur demande.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 15 ns
Tension - Alimentation 2,5 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY