ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV6416EEBLL-10CTLA3-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 12.47 | Dhs. 12.47 |
| 15+ | Dhs. 12.10 | Dhs. 181.50 |
| 25+ | Dhs. 11.84 | Dhs. 296.00 |
| 50+ | Dhs. 11.18 | Dhs. 559.00 |
| 100+ | Dhs. 9.86 | Dhs. 986.00 |
| N+ | Dhs. 1.97 | Price Inquiry |
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IS64WV6416EEBLL-10CTLA3-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La puce IS64WV6416EEBLL-10CTLA3-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone 1 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire parallèle offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 10 ns et fonctionne sur une large plage de températures, de -40 °C à 125 °C.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
- Organisation mémoire flexible : configuration 64 Ko x 16 optimisée pour les architectures de bus de données 16 bits
- Large plage de tension : tension d’alimentation de 2,4 V à 3,6 V pour une compatibilité avec diverses conceptions de systèmes.
- Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 125 °C pour des conditions environnementales difficiles.
- Conditionnement fiable : boîtier CMS 44-TSOP II avec emballage en bande et bobine pour assemblage automatisé
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire SRAM haute fiabilité est idéale pour :
- Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant une mémoire résistante aux radiations
- calculateurs automobiles et systèmes de contrôle critiques pour la sécurité
- équipements d'automatisation industrielle et de contrôle des processus
- Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic
- Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
- Applications de mise en mémoire tampon et de mémoire cache
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Chez HQICKEY , nous sommes spécialisés dans la fourniture de semi-conducteurs authentiques et de haute fiabilité, avec une traçabilité complète. En tant que distributeur agréé, nous garantissons que chaque composant répond aux normes de qualité les plus strictes pour les applications critiques. Notre vaste gamme de mémoires comprend des solutions SRAM, DRAM, Flash et EEPROM provenant des plus grands fabricants.
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Informations de commande
Référence : IS64WV6416EEBLL-10CTLA3-TR
Conditionnement : Bande et bobine
Délai de livraison : Veuillez nous contacter pour connaître les disponibilités et les délais de livraison actuels.
Pour obtenir les spécifications techniques, les fiches techniques ou les tarifs dégressifs, veuillez contacter notre équipe technico-commerciale.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 2,4 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
IS64WV6416EEBLL-10CTLA3-TR.pdf