ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65C1024AL-45QLA3

IS65C1024AL-45QLA3 - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone de 1 Mbit

Le circuit intégré IS65C1024AL-45QLA3 d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit conçue pour les applications industrielles exigeant une mémoire volatile fiable et à accès rapide. Avec une organisation de 128 Ko x 8 et un temps d'accès de 45 ns, cette SRAM à interface parallèle est idéale pour les systèmes embarqués, le contrôle industriel, l'électronique automobile et les équipements de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances haute vitesse : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 45 ns pour des opérations de données rapides.
• Plage de températures étendue : Fonctionnement de qualité industrielle de -40 °C à 125 °C (TA)
• Architecture mémoire fiable : capacité de 1 Mbit organisée en 128 Ko x 8 avec interface parallèle
• Large plage de tension : alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une intégration système flexible
• Conception pour montage en surface : boîtier 32-SOP (32-SOIC, largeur 0,445 pouce / 11,30 mm) pour assemblage automatisé
• Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale

Applications

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux, des infrastructures de télécommunications et à toute application nécessitant une prise en charge à long terme et des composants de mémoire haute fiabilité avec une traçabilité complète.

Spécifications techniques complètes

Distributeur agréé : Nous fournissons des composants ISSI authentiques avec traçabilité complète, documentation du fabricant et garantie à long terme. Tous nos produits sont livrés avec la certification de conformité RoHS/REACH.