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25+ Dhs. 13.11 Dhs. 327.75
50+ Dhs. 12.38 Dhs. 619.00
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IS65C1024AL-45QLA3-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La puce IS65C1024AL-45QLA3-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone 1 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface offre un temps d'accès rapide de 45 ns et une organisation mémoire de 128 Ko x 8, fonctionnant de manière fiable sur une large plage de températures allant de -40 °C à 125 °C.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès rapide : un cycle d'accès et d'écriture de 45 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 125 °C, idéal pour les environnements industriels et automobiles difficiles.
  • Interface parallèle : architecture d’interface simple et éprouvée pour une intégration directe
  • Fonctionnement à faible consommation : la plage de tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V optimise l’efficacité énergétique.
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale
  • Conditionnement prêt pour la production : le format bande et bobine prend en charge les processus d’assemblage automatisés

Applications typiques

Cette mémoire SRAM est conçue pour les applications nécessitant une mise en mémoire tampon de données non volatile à haute vitesse, notamment les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les dispositifs médicaux, les infrastructures de télécommunications et les systèmes d'acquisition de données où la fiabilité et les performances sont essentielles.

Spécifications techniques complètes

Qualité et conformité

En tant que distributeur agréé, nous fournissons une documentation complète de traçabilité, les certificats de conformité RoHS/REACH et une assistance à l'intégration, incluant fiches techniques et schémas de référence. Tous les composants proviennent directement d'ISSI, garantissant leur authenticité et leur disponibilité à long terme.

Ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de composants semi-conducteurs pour mémoire, adaptés à vos besoins de conception. Consultez notre page d'accueil pour parcourir notre catalogue complet de composants haute fiabilité, ou visitez notre blog technique pour accéder à des analyses sectorielles, des notes d'application et des mises à jour produits.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 45 ns
Temps d'accès 45 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-SOIC (0,445", largeur 11,30 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY