ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65C1024AL-45TLA3-TR

IS65C1024AL-45TLA3-TR - SRAM asynchrone 1 Mbit haute fiabilité

La mémoire SRAM asynchrone IS65C1024AL-45TLA3-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute performance de 1 mégabit conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel et des télécommunications. Ce circuit intégré mémoire offre une fiabilité exceptionnelle avec un temps d'accès de 45 ns et fonctionne sur une large plage de températures, de -40 °C à 125 °C.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 45 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
• Organisation flexible de la mémoire : la configuration 128 Ko x 8 offre un équilibre optimal pour les systèmes embarqués.
• Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une intégration système polyvalente.
• Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 125 °C, idéal pour les environnements industriels et automobiles difficiles.
• Boîtier compact : le boîtier CMS 32-TSOP I (largeur de 18,40 mm) optimise l'espace disponible sur le circuit imprimé.
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Applications idéales

Cette mémoire SRAM asynchrone est conçue pour les applications exigeantes telles que l'avionique aérospatiale, les calculateurs automobiles, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements de diagnostic médical et les infrastructures de télécommunications où l'intégrité et la fiabilité des données sont primordiales.

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Spécifications techniques

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