ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65C256AL-25TLA3-TR

IS65C256AL-25TLA3-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits

Le circuit intégré IS65C256AL-25TLA3-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone 256 Kbits haut de gamme, conçue pour les systèmes embarqués critiques nécessitant un stockage de mémoire volatile rapide et fiable. Ce composant mémoire haute performance offre un temps d'accès exceptionnel de 25 ns et une organisation mémoire robuste de 32 K x 8, ce qui le rend idéal pour les applications aérospatiales, automobiles, de contrôle industriel, médicales et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès et un temps de cycle d’écriture de 25 ns garantissent une récupération rapide des données pour les opérations critiques.
• Large plage de fonctionnement : Tolérance aux températures de -40 °C à 125 °C (TA) de qualité industrielle pour les environnements difficiles
• Alimentation flexible : la plage de tension de 4,5 V à 5,5 V assure la compatibilité avec les systèmes 5 V standard.
• Boîtier compact à montage en surface : le boîtier TSSOP 28 broches (0,465 pouce, largeur 11,80 mm) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.
• Interface parallèle : une interface mémoire simple simplifie l’intégration dans les conceptions existantes
• Conforme à la directive RoHS : une fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré SRAM est parfaitement adapté aux systèmes embarqués nécessitant un stockage de données temporaire et rapide, notamment les automates industriels, les calculateurs automobiles, l'instrumentation médicale, les équipements réseau et l'avionique aérospatiale. Sa large plage de températures de fonctionnement et sa fiabilité en font un excellent choix pour les environnements exigeants où l'intégrité et la vitesse des données sont primordiales.

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