ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65C256AL-25ULA3-TR

IS65C256AL-25ULA3-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits

Le circuit intégré IS65C256AL-25ULA3-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone haute fiabilité de 256 kbits conçue pour les systèmes embarqués critiques et les applications industrielles. Ce dispositif de mémoire volatile offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 25 ns et fonctionne de manière fiable sur une large plage de températures allant de -40 °C à 125 °C.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 25 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
• Organisation flexible de la mémoire : la configuration 32 Ko x 8 offre un équilibre optimal pour les conceptions de systèmes embarqués.
• Plage de température étendue : fonctionnement de -40 °C à 125 °C (TA), ce qui le rend idéal pour les environnements automobiles, aérospatiaux et industriels.
• Interface parallèle : une interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration dans les conceptions existantes.
• Boîtier CMS : boîtier SOIC 28 (0,330 pouce, largeur 8,38 mm) optimisé pour l’assemblage automatisé
• Large plage de tension d'alimentation : la plage de fonctionnement de 4,5 V à 5,5 V assure la compatibilité avec les systèmes 5 V standard.
• Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Applications

Ce circuit intégré SRAM est parfaitement adapté à l'avionique aérospatiale, aux systèmes de contrôle automobile, à l'automatisation industrielle, aux dispositifs médicaux, aux équipements de télécommunications et à toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec un fonctionnement à température étendue.

Spécifications techniques complètes

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