ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65LV256AL-45TLA3-TR

IS65LV256AL-45TLA3-TR - SRAM asynchrone haute fiabilité 256 Kbits

La mémoire IS65LV256AL-45TLA3-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone haut de gamme de 256 kbits conçue pour les systèmes embarqués critiques exigeant des temps d'accès rapides et une fiabilité exceptionnelle. Ce circuit intégré de mémoire parallèle haute performance présente une organisation de 32 Kbits x 8 et un temps d'accès ultrarapide de 45 ns, ce qui le rend idéal pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, médicales et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances ultra-rapides : un temps d’accès de 45 ns et un temps de cycle d’écriture de 45 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Large plage de fonctionnement : Plage de températures de qualité industrielle (-40 °C à 125 °C) pour les environnements difficiles
• Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
• Montage en surface compact : boîtier TSOP I 28 pouces (largeur de 11,80 mm) optimisé pour les circuits imprimés à espace restreint
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
• Conditionnement en bande et bobine : Prêt pour l'assemblage automatisé et la production en grande série

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SRAM est conçue pour les applications exigeantes, notamment les contrôleurs embarqués, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache, les systèmes d'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux, l'électronique automobile et les équipements de télécommunications, où l'intégrité et la vitesse des données sont primordiales.

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