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IS65WV12816BLL-55TA3-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit

La mémoire SRAM asynchrone IS65WV12816BLL-55TA3-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute fiabilité de 2 Mbit conçue pour les applications exigeantes des secteurs automobile, industriel, médical et des télécommunications. Grâce à son organisation mémoire de 128 Ko x 16 et à son temps d'accès rapide de 55 ns, cette SRAM à interface parallèle offre des performances constantes sur une large plage de températures.

Principales caractéristiques et avantages :

  • Performances haute vitesse : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 55 ns pour des opérations de données rapides.
  • Alimentation flexible : large plage de tension (2,5 V à 3,6 V) pour une intégration système polyvalente
  • Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 125 °C (TA) pour les environnements difficiles
  • Montage en surface compact : boîtier 44-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) optimisé pour les conceptions à espace restreint
  • Conformité totale : certifié RoHS/REACH pour les normes environnementales
  • Engagement sur le long terme : distribution agréée avec traçabilité complète et assistance du fabricant

Applications idéales :

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée à l'avionique aérospatiale, aux calculateurs automobiles, aux contrôleurs industriels, aux dispositifs médicaux, aux équipements de télécommunications et à toute application nécessitant une mémoire tampon non volatile avec une disponibilité à long terme garantie.

Spécifications techniques complètes :

Distribution agréée : Nous fournissons des composants ISSI authentiques avec traçabilité complète du fabricant, documentation d’origine et assistance technique à long terme. Tous nos produits sont livrés avec la certification de conformité RoHS/REACH.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 2 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 55 ns
Temps d'accès 55 ns
Tension - Alimentation 2,5 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY