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IS65WV12816BLL-55TLA3-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit

La mémoire IS65WV12816BLL-55TLA3-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone 2 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire parallèle dispose d'une architecture 128K x 16 et d'un temps d'accès rapide de 55 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués nécessitant un accès rapide aux données et une faible consommation d'énergie.

Principales caractéristiques et avantages :

  • Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 125 °C (TA), idéal pour les environnements industriels difficiles.
  • Alimentation flexible : la tension de fonctionnement de 2,5 V à 3,6 V prend en charge diverses configurations de systèmes.
  • Montage en surface compact : le boîtier 44-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) optimise l’espace sur la carte.
  • Conditionnement prêt pour la production : disponible en bande et bobine pour les processus d’assemblage automatisés
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale

Applications typiques :

Cette mémoire SRAM est conçue pour les applications nécessitant une mémoire volatile haute vitesse avec interface parallèle, notamment les contrôleurs embarqués, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache, les équipements de réseau et les systèmes d'automatisation industrielle.

Spécifications techniques complètes :

Assistance à la conception : Fiches techniques complètes, schémas de référence et documentation technique disponibles pour faciliter votre processus d’intégration. Notre équipe assure un soutien technique pour l’intégration, la vérification de la conformité et la gestion du cycle de vie.

Qualité et traçabilité : Chaque unité comprend une documentation complète de traçabilité et répond aux normes de conformité RoHS/REACH pour la distribution mondiale.


Ressources et catégories de produits associées :

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 2 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 55 ns
Temps d'accès 55 ns
Tension - Alimentation 2,5 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY