ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV12816BLL-55TLA3-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 13.97 | Dhs. 13.97 |
| 15+ | Dhs. 13.54 | Dhs. 203.10 |
| 25+ | Dhs. 13.25 | Dhs. 331.25 |
| 50+ | Dhs. 12.51 | Dhs. 625.50 |
| 100+ | Dhs. 11.04 | Dhs. 1,104.00 |
| N+ | Dhs. 2.21 | Price Inquiry |
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IS65WV12816BLL-55TLA3-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit
La mémoire IS65WV12816BLL-55TLA3-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone 2 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire parallèle dispose d'une architecture 128K x 16 et d'un temps d'accès rapide de 55 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués nécessitant un accès rapide aux données et une faible consommation d'énergie.
Principales caractéristiques et avantages :
- Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 125 °C (TA), idéal pour les environnements industriels difficiles.
- Alimentation flexible : la tension de fonctionnement de 2,5 V à 3,6 V prend en charge diverses configurations de systèmes.
- Montage en surface compact : le boîtier 44-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) optimise l’espace sur la carte.
- Conditionnement prêt pour la production : disponible en bande et bobine pour les processus d’assemblage automatisés
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale
Applications typiques :
Cette mémoire SRAM est conçue pour les applications nécessitant une mémoire volatile haute vitesse avec interface parallèle, notamment les contrôleurs embarqués, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache, les équipements de réseau et les systèmes d'automatisation industrielle.
Spécifications techniques complètes :
Assistance à la conception : Fiches techniques complètes, schémas de référence et documentation technique disponibles pour faciliter votre processus d’intégration. Notre équipe assure un soutien technique pour l’intégration, la vérification de la conformité et la gestion du cycle de vie.
Qualité et traçabilité : Chaque unité comprend une documentation complète de traçabilité et répond aux normes de conformité RoHS/REACH pour la distribution mondiale.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 2 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 55 ns |
| Temps d'accès | 55 ns |
| Tension - Alimentation | 2,5 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |

IS65WV12816BLL-55TLA3-TR.pdf