ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV1M16EBLL-55BLI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 10.90 | Dhs. 10.90 |
| 15+ | Dhs. 10.54 | Dhs. 158.10 |
| 25+ | Dhs. 10.31 | Dhs. 257.75 |
| 50+ | Dhs. 9.74 | Dhs. 487.00 |
| 100+ | Dhs. 8.60 | Dhs. 860.00 |
| N+ | Dhs. 1.72 | Price Inquiry |
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IS66WV1M16EBLL-55BLI - Solution de mémoire PSRAM haute performance de 16 Mbit
La puce mémoire IS66WV1M16EBLL-55BLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire PSRAM (Pseudo SRAM) de 16 Mbits haute fiabilité, conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce dispositif de mémoire à interface parallèle offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 55 ns et fonctionne de manière fiable sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité mémoire de 16 Mbits : organisée en 1 Mo x 16, offrant un espace de stockage suffisant pour les systèmes embarqués et les applications gourmandes en données.
- Temps d'accès ultra-rapide de 55 ns : garantit une récupération rapide des données et une réactivité système optimale pour les opérations critiques.
- Large plage de tension : la compatibilité avec les tensions d’alimentation de 2,5 V à 3,6 V offre une grande flexibilité de conception et une efficacité énergétique optimale.
- Plage de température industrielle : -40 °C à 85 °C garantit des performances fiables dans des environnements difficiles.
- Interface parallèle : simplifie l’intégration avec les systèmes existants et les microcontrôleurs.
- Boîtier compact 48-TFBGA : montage en surface, encombrement de 6 x 8 mm pour une utilisation optimale de l’espace sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb
Applications idéales
Cette puce mémoire PSRAM excelle dans les environnements exigeants nécessitant une fiabilité élevée et des performances constantes, notamment :
- Systèmes de contrôle automobile : gestion du moteur, systèmes ADAS, systèmes d’infodivertissement
- Automatisation industrielle : automates programmables, contrôleurs robotiques, équipements d’automatisation d’usine
- Dispositifs de diagnostic médical : systèmes de surveillance des patients, équipements d’imagerie, instruments de diagnostic
- Instrumentation aérospatiale : avionique, systèmes de commandes de vol, équipements de navigation
- Infrastructure de télécommunications : stations de base, routeurs de réseau, concentrateurs de communication
- Systèmes embarqués : objets connectés, informatique de périphérie, traitement des données en temps réel
Avantages en matière de performance
La mémoire IS66WV1M16EBLL-55BLI combine la densité de la DRAM et la simplicité d'utilisation de la SRAM, éliminant ainsi le besoin de cycles de rafraîchissement tout en conservant des performances à haute vitesse. Son architecture pseudo-statique simplifie la conception du système en supprimant les contraintes complexes de synchronisation du rafraîchissement, en réduisant la consommation d'énergie et en améliorant la fiabilité globale du système.
Spécifications techniques
Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?
ISSI est un leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire à semi-conducteurs haute fiabilité, offrant des performances éprouvées pour les applications les plus exigeantes au monde. Grâce à un contrôle qualité rigoureux et à des tests approfondis, les produits de mémoire ISSI garantissent la fiabilité indispensable à vos systèmes critiques. Chaque composant fait l'objet d'une validation complète afin d'assurer des performances constantes sur toute la plage de températures de fonctionnement.
Considérations de conception
Lors de l'intégration de l'IS66WV1M16EBLL-55BLI dans votre conception, veillez à utiliser des condensateurs de découplage adaptés à proximité des broches d'alimentation, à optimiser le routage des pistes du circuit imprimé pour garantir l'intégrité du signal et à assurer une gestion thermique efficace pour un fonctionnement optimal et durable. L'interface parallèle permet une intégration simple avec la plupart des microcontrôleurs et processeurs, sans nécessiter de contrôleurs de mémoire spécifiques.
Qualité et fiabilité
Ce composant de mémoire de qualité industrielle répond aux normes les plus strictes pour les applications critiques. Conforme à la directive RoHS, il est respectueux de l'environnement, tandis que sa large plage de températures de fonctionnement et sa conception robuste garantissent un fonctionnement fiable même dans des conditions difficiles, notamment en cas de vibrations, de chocs et de cycles thermiques.
Produits et ressources connexes
Découvrez notre gamme complète de solutions de mémoire, incluant les composants PSRAM, SRAM, DRAM et Flash, pour répondre à tous vos besoins de conception. Consultez notre page d'accueil pour découvrir notre catalogue complet de semi-conducteurs haute fiabilité, ou visitez notre blog technique pour les dernières actualités sur les technologies de mémoire et des notes d'application.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | PSRAM |
| Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 1M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 55 ns |
| Temps d'accès | 55 ns |
| Tension - Alimentation | 2,5 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-TFBGA (6x8) |
| RoHS |

IS66WV1M16EBLL-55BLI.pdf