ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 10.00 | Dhs. 10.00 |
| 15+ | Dhs. 9.69 | Dhs. 145.35 |
| 25+ | Dhs. 9.48 | Dhs. 237.00 |
| 50+ | Dhs. 8.95 | Dhs. 447.50 |
| 100+ | Dhs. 7.90 | Dhs. 790.00 |
| N+ | Dhs. 1.58 | Price Inquiry |
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IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR - Mémoire PSRAM haute performance de 16 Mbit
La puce IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une solution de mémoire PSRAM (Pseudo SRAM) 16 Mbit haute fiabilité, conçue pour les applications embarquées exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette puce de mémoire volatile combine la haute densité de la DRAM avec la simplicité d'utilisation de la SRAM, éliminant ainsi le besoin de circuits de rafraîchissement complexes.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Alimentation flexible : sa large plage de tension (2,5 V à 3,6 V) s'adapte à différentes configurations de systèmes.
- Plage de températures étendue : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements industriels difficiles.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 48-TFBGA (6 x 8 mm) permet de gagner un espace précieux sur la carte.
- Interface parallèle : l’organisation 1M x 16 assure une intégration simple avec les microcontrôleurs et les FPGA.
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Applications idéales
Cette mémoire PSRAM est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile fiable et rapide, notamment les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et l'instrumentation aérospatiale. Son architecture pseudo-SRAM simplifie la conception du système tout en offrant les avantages de densité de la technologie DRAM.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | PSRAM |
| Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 1M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 55 ns |
| Temps d'accès | 55 ns |
| Tension - Alimentation | 2,5 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-TFBGA (6x8) |
| RoHS |

IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR.pdf