ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216BLL-55BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.54 | Dhs. 8.54 |
| 15+ | Dhs. 8.27 | Dhs. 124.05 |
| 25+ | Dhs. 8.09 | Dhs. 202.25 |
| 50+ | Dhs. 7.64 | Dhs. 382.00 |
| 100+ | Dhs. 6.74 | Dhs. 674.00 |
| N+ | Dhs. 1.35 | Price Inquiry |
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IS66WV51216BLL-55BLI-TR - Circuit intégré de mémoire PSRAM haute performance de 8 Mbit
Le circuit intégré IS66WV51216BLL-55BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire PSRAM (Pseudo SRAM) 8 Mbit haute fiabilité, conçue pour les systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile rapide avec une interface parallèle simple. Ce composant industriel offre une organisation mémoire de 512 Ko x 16 avec un temps d'accès de 55 ns, ce qui le rend idéal pour les applications aérospatiales, automobiles, de contrôle industriel, médicales et de télécommunications.
Caractéristiques principales :
- PSRAM de 8 Mbit avec une organisation de 512 Ko x 16 pour une gestion flexible des données
- Temps d'accès et temps de cycle d'écriture rapides de 55 ns pour des opérations à haute vitesse
- Large plage de tension d'alimentation : 2,5 V à 3,6 V pour une intégration système polyvalente.
- Plage de températures industrielles : -40 °C à 85 °C (TA) pour les environnements difficiles
- Interface parallèle pour une intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
- Boîtier CMS 48-TFBGA (6x8) pour une conception de PCB compacte
- Conforme à la directive RoHS pour le respect de l'environnement
Applications : Systèmes embarqués, automatisation industrielle, électronique automobile, instrumentation médicale, équipements de télécommunications, mise en mémoire tampon des données et systèmes critiques nécessitant une mémoire volatile fiable.
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Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | PSRAM |
| Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Taille de la mémoire | 8 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 512K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 55 ns |
| Temps d'accès | 55 ns |
| Tension - Alimentation | 2,5 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-TFBGA (6x8) |
| RoHS |  |
IS66WV51216BLL-55BLI-TR.pdf