ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216BLL-55TLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.13 | Dhs. 8.13 |
| 15+ | Dhs. 7.86 | Dhs. 117.90 |
| 25+ | Dhs. 7.69 | Dhs. 192.25 |
| 50+ | Dhs. 7.26 | Dhs. 363.00 |
| 100+ | Dhs. 6.41 | Dhs. 641.00 |
| N+ | Dhs. 1.28 | Price Inquiry |
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IS66WV51216BLL-55TLI-TR - Circuit intégré de mémoire pseudo SRAM haute performance de 8 Mbit
Le IS66WV51216BLL-55TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un circuit intégré de mémoire Pseudo SRAM (PSRAM) haute performance de 8 Mbit conçu pour les systèmes embarqués et les applications industrielles nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec une interface parallèle simple.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de mémoire de 8 Mbit – Organisée en 512 Ko x 16 pour un stockage et une récupération efficaces des données
- Temps d'accès rapide de 55 ns - Garantit des opérations de lecture/écriture rapides pour les applications critiques en temps réel
- Large plage de tension : fonctionne de 2,5 V à 3,6 V pour une intégration flexible de l’alimentation.
- Plage de températures industrielles - Conçu pour fonctionner de -40 °C à 85 °C dans des environnements exigeants
- Interface parallèle - Accès mémoire simple et direct, sans protocoles complexes
- Boîtier CMS - Boîtier 44-TSOP II optimisé pour l'assemblage automatisé
- Conforme à la directive RoHS - Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb
Applications idéales
Cette mémoire PSRAM est idéale pour les contrôleurs embarqués, les systèmes d'automatisation industrielle, les équipements de télécommunications, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et toute application nécessitant une mémoire volatile rapide avec une longue durée de vie.
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Spécifications techniques complètes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | PSRAM |
| Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Taille de la mémoire | 8 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 512K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 55 ns |
| Temps d'accès | 55 ns |
| Tension - Alimentation | 2,5 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
IS66WV51216BLL-55TLI-TR.pdf