ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216EALL-70BLI-TR

IS66WV51216EALL-70BLI-TR - PSRAM parallèle haute performance de 8 Mbit

La mémoire SRAM pseudo IS66WV51216EALL-70BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire 8 Mbit haute fiabilité conçue pour les systèmes embarqués exigeant une mémoire volatile rapide avec une interface parallèle simple. Avec un temps d'accès de 70 ns et une organisation mémoire de 512 Ko x 16, cette PSRAM offre des performances constantes pour les applications critiques des secteurs industriel, automobile et des télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès ultrarapide de 70 ns : garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Capacité de 8 Mbit (512 Ko x 16) : densité de mémoire optimale pour les contrôleurs embarqués et les FPGA
• Fonctionnement à basse tension (1,7 V - 1,95 V) : réduit la consommation d’énergie dans les appareils alimentés par batterie et les conceptions à faible consommation énergétique.
• Plage de températures industrielles (-40 °C à 85 °C) : Fiabilité éprouvée dans des environnements d’exploitation difficiles
• Interface parallèle : simplifie l’intégration avec les systèmes existants et les microcontrôleurs.
• Boîtier TFBGA 48 broches à montage en surface : encombrement réduit pour les circuits imprimés compacts
• Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales et réglementaires des marchés mondiaux

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire PSRAM est idéale pour l'avionique aérospatiale, les calculateurs automobiles, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements de diagnostic médical et les infrastructures de télécommunications où une mémoire volatile fiable et à haute vitesse est essentielle.

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