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25+ Dhs. 7.65 Dhs. 191.25
50+ Dhs. 7.23 Dhs. 361.50
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IS66WV51216EBLL-70BLI-TR : Circuit intégré de mémoire PSRAM haute performance de 8 Mbits

L' IS66WV51216EBLL-70BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un circuit intégré de mémoire Pseudo SRAM (PSRAM) de 8 Mbit de qualité supérieure conçu pour les systèmes embarqués et les applications industrielles nécessitant une mémoire volatile fiable et rapide avec une interface parallèle.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité mémoire de 8 Mbit : organisée en 512 Ko x 16, offrant un espace de stockage suffisant pour les applications embarquées gourmandes en données.
  • Temps d'accès rapide de 70 ns : garantit des opérations de lecture/écriture rapides pour les systèmes critiques en temps réel.
  • Large plage de tension : fonctionne de 2,5 V à 3,6 V, compatible avec diverses architectures système.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionnement prévu de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements difficiles
  • Interface parallèle : simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les FPGA
  • Boîtier TFBGA 48 broches à montage en surface : format compact de 6 x 8 mm pour les conceptions à espace restreint.
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale

Spécifications techniques

Applications

Le modèle IS66WV51216EBLL-70BLI-TR est idéal pour :

  • Systèmes embarqués nécessitant une mise en mémoire tampon rapide et volatile
  • systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
  • Infrastructure de réseau et de télécommunications
  • Dispositifs et instruments médicaux
  • Électronique automobile (dans la plage de température)
  • passerelles IoT et dispositifs de calcul en périphérie

Pourquoi choisir HQICKEY pour vos besoins en circuits intégrés de mémoire ?

Chez HQICKEY, nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs authentiques et de qualité contrôlée, bénéficiant d'une longue durée de vie. Chaque unité IS66WV51216EBLL-70BLI-TR provient directement de distributeurs agréés, garantissant une authenticité à 100 % et une couverture complète de la garantie constructeur.

Notre engagement comprend :

  • ✓ Composants authentiques garantis provenant de chaînes d'approvisionnement vérifiées
  • ✓ Livraison internationale avec un service fiable
  • ✓ Assistance technique dédiée à l'intégration
  • ✓ Disponibilité à long terme pour les projets à l'échelle de la production
  • ✓ Documentation relative au contrôle qualité et à la traçabilité

Informations de commande

Référence : IS66WV51216EBLL-70BLI-TR
Conditionnement : Bande et bobine (TR)
Type de boîtier : 48-TFBGA (6x8mm)
Fabricant : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

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Ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de composants semi-conducteurs :

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire PSRAM
Technologie PSRAM (Pseudo SRAM)
Taille de la mémoire 8 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 70ns
Temps d'accès 70 ns
Tension - Alimentation 2,5 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-TFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY