ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216EBLL-70BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.09 | Dhs. 8.09 |
| 15+ | Dhs. 7.82 | Dhs. 117.30 |
| 25+ | Dhs. 7.65 | Dhs. 191.25 |
| 50+ | Dhs. 7.23 | Dhs. 361.50 |
| 100+ | Dhs. 6.38 | Dhs. 638.00 |
| N+ | Dhs. 1.28 | Price Inquiry |
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IS66WV51216EBLL-70BLI-TR : Circuit intégré de mémoire PSRAM haute performance de 8 Mbits
L' IS66WV51216EBLL-70BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un circuit intégré de mémoire Pseudo SRAM (PSRAM) de 8 Mbit de qualité supérieure conçu pour les systèmes embarqués et les applications industrielles nécessitant une mémoire volatile fiable et rapide avec une interface parallèle.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité mémoire de 8 Mbit : organisée en 512 Ko x 16, offrant un espace de stockage suffisant pour les applications embarquées gourmandes en données.
- Temps d'accès rapide de 70 ns : garantit des opérations de lecture/écriture rapides pour les systèmes critiques en temps réel.
- Large plage de tension : fonctionne de 2,5 V à 3,6 V, compatible avec diverses architectures système.
- Plage de températures industrielles : Fonctionnement prévu de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements difficiles
- Interface parallèle : simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les FPGA
- Boîtier TFBGA 48 broches à montage en surface : format compact de 6 x 8 mm pour les conceptions à espace restreint.
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale
Spécifications techniques
Applications
Le modèle IS66WV51216EBLL-70BLI-TR est idéal pour :
- Systèmes embarqués nécessitant une mise en mémoire tampon rapide et volatile
- systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
- Infrastructure de réseau et de télécommunications
- Dispositifs et instruments médicaux
- Électronique automobile (dans la plage de température)
- passerelles IoT et dispositifs de calcul en périphérie
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Notre engagement comprend :
- ✓ Composants authentiques garantis provenant de chaînes d'approvisionnement vérifiées
- ✓ Livraison internationale avec un service fiable
- ✓ Assistance technique dédiée à l'intégration
- ✓ Disponibilité à long terme pour les projets à l'échelle de la production
- ✓ Documentation relative au contrôle qualité et à la traçabilité
Informations de commande
Référence : IS66WV51216EBLL-70BLI-TR
Conditionnement : Bande et bobine (TR)
Type de boîtier : 48-TFBGA (6x8mm)
Fabricant : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | PSRAM |
| Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Taille de la mémoire | 8 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 512K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
| Temps d'accès | 70 ns |
| Tension - Alimentation | 2,5 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-TFBGA (6x8) |
| RoHS |

IS66WV51216EBLL-70BLI-TR.pdf