ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216EBLL-70TLI

IS66WV51216EBLL-70TLI - Circuit intégré de mémoire pseudo SRAM haute performance de 8 Mbit

Le circuit intégré IS66WV51216EBLL-70TLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire PSRAM (Pseudo SRAM) haute performance de 8 Mbits conçue pour les systèmes embarqués exigeant une mémoire volatile rapide et fiable, dotée d'une interface parallèle simple. Sa configuration 512 Ko x 16 offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 70 ns, ce qui la rend idéale pour les automates industriels, l'électronique automobile, les équipements réseau et les systèmes d'acquisition de données.

Principales caractéristiques et avantages

• Capacité mémoire de 8 Mbit : l’organisation en 512 Ko x 16 offre un espace de stockage suffisant pour la mise en mémoire tampon, la mise en cache et le stockage temporaire de données dans les applications embarquées.
• Temps d'accès rapide de 70 ns : permet des opérations de lecture/écriture rapides pour les applications critiques et le traitement en temps réel.
• Large plage de tension : la tension d’alimentation de 2,5 V à 3,6 V prend en charge les conceptions basse consommation anciennes et modernes.
• Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit des performances fiables même dans des environnements difficiles.
• Interface parallèle : une interface mémoire simple et directe réduit la complexité de conception et accélère la mise sur le marché.
• Boîtier CMS : le 44-TSOP II (largeur de 10,16 mm) permet des agencements de circuits imprimés compacts et un assemblage automatisé
• Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale

Applications typiques

Cette PSRAM est parfaitement adaptée à l'automatisation industrielle, à l'informatique embarquée, aux systèmes d'infodivertissement automobile, aux routeurs et commutateurs réseau, aux dispositifs médicaux, aux équipements de test et de mesure, et à toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et économique avec une longue durée de vie.

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Spécifications techniques complètes

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