ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216EBLL-70TLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.45 | Dhs. 7.45 |
| 15+ | Dhs. 7.20 | Dhs. 108.00 |
| 25+ | Dhs. 7.05 | Dhs. 176.25 |
| 50+ | Dhs. 6.66 | Dhs. 333.00 |
| 100+ | Dhs. 5.87 | Dhs. 587.00 |
| N+ | Dhs. 1.17 | Price Inquiry |
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IS66WV51216EBLL-70TLI-TR - Circuit intégré de mémoire PSRAM haute performance de 8 Mbit
L' IS66WV51216EBLL-70TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un circuit intégré de mémoire Pseudo SRAM (PSRAM) haute performance de 8 Mbit conçu pour les systèmes embarqués et les applications industrielles nécessitant une mémoire volatile fiable et rapide avec une interface parallèle simple.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de mémoire de 8 Mbit organisée en 512 Ko x 16 pour un stockage de données flexible
- Un temps d'accès rapide de 70 ns garantit des opérations de lecture/écriture rapides pour les applications critiques en termes de temps.
- La large plage de tension de fonctionnement (2,5 V à 3,6 V) offre une grande flexibilité de conception et des options à faible consommation.
- Plage de températures industrielles (-40 °C à 85 °C) adaptée aux environnements difficiles
- L'interface parallèle simplifie l'intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs.
- Boîtier CMS 44-TSOP II optimisé pour l'assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts
- Conforme à la directive RoHS et respecte les normes environnementales et réglementaires.
Applications idéales
Ce circuit intégré PSRAM est idéal pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux et toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec une interface simple.
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Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | PSRAM |
| Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Taille de la mémoire | 8 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 512K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
| Temps d'accès | 70 ns |
| Tension - Alimentation | 2,5 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
IS66WV51216EBLL-70TLI-TR.pdf