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IS66WVC2M16EALL-7010BLI - Solution PSRAM haute performance de 32 Mbit

La mémoire IS66WVC2M16EALL-7010BLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire PSRAM (pseudo SRAM) haut de gamme de 32 Mbits conçue pour les applications critiques exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Cette solution mémoire avancée combine la haute densité de la DRAM à la simplicité d'utilisation de la SRAM, ce qui la rend idéale pour les systèmes aérospatiaux, automobiles, industriels, médicaux et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Mémoire haute densité : capacité de 32 Mbits organisée en 2 M x 16, offrant un espace de stockage suffisant pour les applications gourmandes en données.
  • Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 70 ns garantit une récupération rapide des données pour les opérations critiques.
  • Fonctionnement à basse tension : la plage de tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V optimise l’efficacité énergétique.
  • Large plage de températures de fonctionnement : de -40 °C à 85 °C, adaptée aux environnements industriels difficiles.
  • Interface parallèle : Intégration simple aux architectures système existantes
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 54-VFBGA (6x8) permet un gain de place précieux sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Spécifications techniques

Applications

Le IS66WVC2M16EALL-7010BLI est conçu pour les applications exigeantes, notamment :

  • Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant une mémoire à haute fiabilité
  • Électronique automobile et ADAS (systèmes avancés d'aide à la conduite)
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Équipements de diagnostic et d'imagerie médicale
  • Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
  • Systèmes embarqués hautes performances

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire PSRAM
Technologie PSRAM (Pseudo SRAM)
Taille de la mémoire 32 Mbits
Organisation de la mémoire 2M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 70ns
Temps d'accès 70 ns
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 54-VFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY