ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVC2M16ECLL-7010BLI

IS66WVC2M16ECLL-7010BLI - Circuit intégré de mémoire pseudo-SRAM haute performance de 32 Mbit

Le circuit intégré IS66WVC2M16ECLL-7010BLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire PSRAM (Pseudo SRAM) 32 Mbits haute fiabilité, organisée en 2M x 16 avec une interface parallèle. Offrant un temps d'accès rapide de 70 ns et un fonctionnement basse tension (1,7 V à 1,95 V), ce circuit intégré de mémoire à montage en surface est idéal pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle, l'électronique automobile et les applications IoT nécessitant une mémoire volatile fiable avec une plage de températures étendue (-40 °C à 85 °C). Son boîtier compact 54 VFBGA (6 x 8 mm) permet une intégration peu encombrante tout en garantissant la conformité totale à la directive RoHS.

Caractéristiques principales :

• Capacité de mémoire de 32 Mbit (organisation 2M x 16)
• Temps d'accès rapide de 70 ns pour des opérations de données à haut débit
• Fonctionnement à basse tension : 1,7 V à 1,95 V
• Large plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 85 °C (qualité industrielle)
• Interface parallèle pour une intégration simple
• Boîtier compact à montage en surface 54-VFBGA (6x8mm)
• Conforme à la directive RoHS pour le respect de l'environnement
• Idéal pour les applications automobiles, industrielles, médicales et de télécommunications

Spécifications techniques :

Produits et ressources associés :

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