ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR

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25+ Dhs. 13.38 Dhs. 334.50
50+ Dhs. 12.64 Dhs. 632.00
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IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR - Circuit intégré de mémoire PSRAM haute performance de 64 Mbit

Le circuit intégré de mémoire PSRAM (Pseudo SRAM) IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 64 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçu pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette mémoire à interface parallèle garantit un temps d'accès rapide de 70 ns et fonctionne sous basse tension (1,7 V à 1,95 V), ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués à faible consommation.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité de mémoire de 64 Mbits – Organisée en 4M x 16 pour un stockage de données flexible
  • Temps d'accès ultra-rapide de 70 ns – Garantit une récupération rapide des données pour les opérations critiques.
  • Fonctionnement à basse tension - Une alimentation de 1,7 V à 1,95 V réduit la consommation d'énergie
  • Plage de températures étendue - Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (qualité TC)
  • Boîtier compact 54-VFBGA - Format compact 6x8 mm pour les circuits imprimés à haute densité
  • Conforme à la directive RoHS - Répond aux normes environnementales des marchés mondiaux
  • Conditionnement en bande et bobine - Prêt pour les processus d'assemblage automatisés

Applications

Cette PSRAM est conçue pour les applications exigeantes nécessitant une mémoire volatile à haute vitesse avec une interface simple comme celle de la SRAM et une densité comme celle de la DRAM, notamment les contrôleurs industriels, les systèmes d'infodivertissement automobiles, les équipements d'imagerie médicale, l'infrastructure de télécommunications et l'avionique aérospatiale.

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir les composants mémoire ISSI ?

ISSI est un fabricant de confiance de solutions de mémoire semi-conductrices haute fiabilité, reconnu pour son expertise dans les secteurs critiques. Tous les composants bénéficient d'une traçabilité complète, d'une documentation de conformité RoHS/REACH et d'une disponibilité tout au long de leur cycle de vie, afin d'accompagner vos conceptions critiques, du prototype à la production et au-delà.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire PSRAM
Technologie PSRAM (Pseudo SRAM)
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 70ns
Temps d'accès 70 ns
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 54-VFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY