ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.32 | Dhs. 8.32 |
| 15+ | Dhs. 8.07 | Dhs. 121.05 |
| 25+ | Dhs. 7.89 | Dhs. 197.25 |
| 50+ | Dhs. 7.45 | Dhs. 372.50 |
| 100+ | Dhs. 6.58 | Dhs. 658.00 |
| N+ | Dhs. 1.32 | Price Inquiry |
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IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR - Circuit intégré de mémoire pseudo SRAM 16 Mbit
La mémoire IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire PSRAM (Pseudo SRAM) haute performance de 16 Mbits dotée d'une architecture d'interface parallèle 1M x 16. Conçue pour les systèmes embarqués exigeant une mémoire volatile rapide et fiable, alliant la simplicité de la SRAM à la densité de la DRAM, cette mémoire de qualité industrielle offre un temps d'accès de 70 ns dans un boîtier compact TFBGA 48 broches pour montage en surface.
Spécifications techniques
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 70 ns permet une récupération rapide des données pour les applications embarquées critiques en termes de temps.
- Interface parallèle : l'organisation 1M x 16 assure une connectivité efficace du bus de données 16 bits.
- Plage de températures industrielles : Conçue pour un fonctionnement de -40 °C à 85 °C, idéale pour les environnements difficiles.
- Compatibilité étendue avec les tensions d'alimentation : une tension d'alimentation de 2,7 V à 3,6 V prend en charge diverses architectures système.
- Boîtier compact : son format 48 TFBGA (6 x 8 mm) optimise l'espace disponible sur le circuit imprimé.
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb
- Conditionnement prêt pour la production : format bande et bobine pour les processus d’assemblage automatisés
Applications cibles
- Contrôleurs embarqués et systèmes à microprocesseur
- Équipements d'automatisation et de contrôle industriels
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Infrastructure de télécommunications
- Dispositifs et instruments médicaux
- Systèmes aérospatiaux et de défense
- Dispositifs informatiques de périphérie IoT
- Solutions de mise en mémoire tampon et de cache des données
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | PSRAM |
| Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 1 m x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
| Temps d'accès | 70 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-TFBGA (6x8) |
| RoHS |  |
IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR.pdf