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15+ Dhs. 11.31 Dhs. 169.65
25+ Dhs. 11.06 Dhs. 276.50
50+ Dhs. 10.45 Dhs. 522.50
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IS66WVE2M16TCLL-70BLI - PSRAM parallèle haute performance de 32 Mbit

La mémoire SRAM pseudo IS66WVE2M16TCLL-70BLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire 32 Mbits haute fiabilité conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Cette mémoire PSRAM à interface parallèle offre un temps d'accès rapide de 70 ns et fonctionne sous basse tension (1,7 V à 1,95 V), ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués à faible consommation.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité de mémoire de 32 Mbits – Organisée en 2M x 16 pour une gestion flexible des données
  • Temps d'accès ultrarapide de 70 ns – Garantit une récupération rapide des données pour les opérations critiques.
  • Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V réduit la consommation d’énergie.
  • Plage de températures étendue - Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA)
  • Interface parallèle - Simplifie l'intégration avec les architectures de microcontrôleurs anciennes et modernes
  • Boîtier TFBGA 48 broches à montage en surface - Format compact 6 x 8 mm pour un gain de place sur la carte
  • Conforme à la norme RoHS - Répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Applications

Cette mémoire PSRAM est conçue pour les environnements exigeants, notamment les systèmes avioniques, les calculateurs automobiles, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements de diagnostic médical et les infrastructures de télécommunications. Son architecture pseudo-statique élimine le besoin de cycles de rafraîchissement, simplifiant ainsi la conception du système tout en conservant une densité comparable à celle de la DRAM.

Spécifications techniques

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Ressources connexes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire PSRAM
Technologie PSRAM (Pseudo SRAM)
Taille de la mémoire 32 Mbits
Organisation de la mémoire 2M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 70ns
Temps d'accès 70 ns
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-TFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY