ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE4M16ALL-70BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 13.41 | Dhs. 13.41 |
| 15+ | Dhs. 12.99 | Dhs. 194.85 |
| 25+ | Dhs. 12.71 | Dhs. 317.75 |
| 50+ | Dhs. 12.00 | Dhs. 600.00 |
| 100+ | Dhs. 10.59 | Dhs. 1,059.00 |
| N+ | Dhs. 2.12 | Price Inquiry |
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IS66WVE4M16ALL-70BLI-TR - Circuit intégré de mémoire PSRAM haute performance de 64 Mbit
Le circuit intégré de mémoire PSRAM (Pseudo SRAM) IS66WVE4M16ALL-70BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 64 Mbits est un modèle haut de gamme conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce dispositif de mémoire à interface parallèle offre des performances fiables avec un temps d'accès de 70 ns et fonctionne efficacement sous une tension d'alimentation comprise entre 1,7 V et 1,95 V.
Principales caractéristiques et avantages
- Mémoire haute densité : une capacité de 64 Mbits avec une organisation de 4M x 16 offre un espace de stockage suffisant pour les systèmes embarqués et les applications gourmandes en données.
- Performances d'accès rapide : un temps d'accès de 70 ns garantit une récupération rapide des données pour les opérations critiques.
- Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V optimise l’efficacité énergétique des appareils portables et alimentés par batterie.
- Large plage de températures : la plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit un fonctionnement fiable dans des environnements industriels difficiles.
- Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier 48-TFBGA (6x8) minimise l’encombrement sur le circuit imprimé tout en maintenant une connectivité robuste
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales relatives à la fabrication sans plomb et à la conformité au marché mondial.
- Disponibilité tout au long du cycle de vie : garantie par l’engagement de HQICKEY à assurer une disponibilité produit continue pour une intégration à long terme.
Applications techniques
Ce circuit intégré de mémoire PSRAM est idéal pour les systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile offrant une interface simple comme celle de la SRAM et une densité comparable à celle de la DRAM. Il est couramment utilisé dans les contrôleurs industriels, les systèmes d'infodivertissement automobiles, les équipements de diagnostic médical, les infrastructures de télécommunications et l'avionique aérospatiale, où un accès mémoire fiable et rapide est essentiel.
Spécifications techniques complètes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | PSRAM |
| Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
| Temps d'accès | 70 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-TFBGA (6x8) |
| RoHS |

IS66WVE4M16ALL-70BLI-TR.pdf