ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 13.56 | Dhs. 13.56 |
| 15+ | Dhs. 13.13 | Dhs. 196.95 |
| 25+ | Dhs. 12.84 | Dhs. 321.00 |
| 50+ | Dhs. 12.13 | Dhs. 606.50 |
| 100+ | Dhs. 10.70 | Dhs. 1,070.00 |
| N+ | Dhs. 2.14 | Price Inquiry |
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L' IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR est un circuit intégré de mémoire PSRAM (Pseudo SRAM) haute performance de 64 Mbits fabriqué par ISSI (Integrated Silicon Solution Inc). Doté d'une organisation mémoire 4M x 16 avec interface parallèle, ce composant offre un stockage de mémoire volatile fiable avec un temps d'accès de 70 ns. Conçu pour les applications industrielles, il fonctionne sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C, avec une tension d'alimentation basse de 1,7 V à 1,95 V. Le boîtier TFBGA 48 (6 x 8 mm) pour montage en surface permet une intégration compacte dans les systèmes embarqués des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Conforme à la directive RoHS, il est disponible en conditionnement sur bande et bobine pour l'assemblage automatisé.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | PSRAM |
| Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
| Temps d'accès | 70 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-TFBGA (6x8) |
| RoHS |  |
IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR.pdf