ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE4M16TBLL-70BLI
Prix habituel
Dhs. 14.76
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Dhs. 15.55
Prix promotionnel
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| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 14.76 | Dhs. 14.76 |
| 15+ | Dhs. 14.31 | Dhs. 214.65 |
| 25+ | Dhs. 14.00 | Dhs. 350.00 |
| 50+ | Dhs. 13.22 | Dhs. 661.00 |
| 100+ | Dhs. 11.66 | Dhs. 1,166.00 |
| N+ | Dhs. 2.33 | Price Inquiry |
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IS66WVE4M16TBLL-70BLI - Circuit intégré de mémoire pseudo SRAM 64 Mbit
Le circuit intégré IS66WVE4M16TBLL-70BLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire PSRAM (Pseudo SRAM) haute performance de 64 Mbits conçue pour les applications industrielles exigeant une mémoire volatile fiable et rapide. Avec une organisation de 4M x 16 et un temps d'accès de 70 ns, cette PSRAM à interface parallèle offre d'excellentes performances pour les systèmes embarqués, le contrôle industriel, l'automobile et les télécommunications.
Caractéristiques principales :
- Capacité mémoire : 64 Mbit (4M x 16 organisations)
- Temps d'accès rapide : 70 ns pour une récupération rapide des données
- Large plage de tension de fonctionnement : de 2,7 V à 3,6 V pour une intégration système flexible.
- Plage de températures industrielles : -40 °C à 85 °C (TA) pour les environnements difficiles
- Boîtier compact : montage en surface 48-TFBGA (6 x 8 mm) pour les conceptions à espace restreint
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme à la réglementation.
Applications :
Idéal pour l'automatisation industrielle, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et toute application nécessitant une mémoire haute fiabilité avec un support à long terme.
Spécifications techniques complètes :
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | PSRAM |
| Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
| Temps d'accès | 70 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-TFBGA (6x8) |
| RoHS |  |
IS66WVE4M16TBLL-70BLI.pdf
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