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50+ Dhs. 12.13 Dhs. 606.50
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PSRAM parallèle haute performance ISSI IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR

La mémoire SRAM pseudo IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR d'Integrated Silicon Solution Inc (ISSI) est une mémoire 64 Mbits haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette mémoire PSRAM à interface parallèle dispose d'une organisation 4M x 16 et d'un temps d'accès rapide de 70 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués nécessitant un accès rapide aux données et une faible consommation d'énergie.

Caractéristiques principales :

  • Capacité de mémoire de 64 Mbit avec une organisation de 4M x 16
  • Temps d'accès rapide de 70 ns pour des performances réactives
  • Large plage de tension de fonctionnement : 2,7 V à 3,6 V
  • Plage de températures industrielles : -40 °C à 85 °C
  • Boîtier compact à montage en surface 48-TFBGA (6x8)
  • Conforme à la directive RoHS pour la sécurité environnementale
  • Disponible en conditionnement sur bande et bobine pour assemblage automatisé

Spécifications techniques :

Produits et ressources associés :

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire PSRAM
Technologie PSRAM (Pseudo SRAM)
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 70ns
Temps d'accès 70 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-TFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY