ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH16M8DALL-166B1LI-TR

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25+ Dhs. 11.30 Dhs. 282.50
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire PSRAM
Technologie PSRAM (Pseudo SRAM)
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 16M x 8
Interface mémoire HyperBus
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 36 ns
Temps d'accès 36 ns
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 24-TBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 24-TFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS66WVH16M8DALL-166B1LI-TR - Circuit intégré de mémoire PSRAM HyperRAM haute performance

La puce IS66WVH16M8DALL-166B1LI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire vive pseudo-statique (PSRAM) haut de gamme de 128 Mbits conçue pour les applications critiques exigeant une mémoire volatile haute vitesse et basse consommation. Compatible HyperBus, cette puce mémoire offre des performances exceptionnelles pour les secteurs de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 36 ns garantissent un débit de données rapide pour les applications en temps réel.
  • Architecture mémoire flexible : organisation 16 M x 8 (capacité totale de 128 Mbits) optimisée pour les systèmes embarqués et les interfaces de microcontrôleurs
  • Interface HyperBus : Protocole standard de l’industrie, il réduit le nombre de broches et simplifie la conception des circuits imprimés tout en maintenant une bande passante élevée.
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V et plage de température de -40 °C à 85 °C pour les environnements industriels difficiles.
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 24-TFBGA (6 x 8 mm) minimise l'encombrement sur la carte.
  • Prêt pour la production : Conditionnement en bande et bobine pour l'assemblage automatisé et la fabrication en grande série

Applications idéales

Cette mémoire PSRAM est conçue pour les applications exigeantes, notamment les systèmes ADAS automobiles, les dispositifs IoT industriels en périphérie, les équipements d'imagerie médicale, les routeurs de réseau et les stations de base de télécommunications, où une mémoire volatile fiable et à haute vitesse est essentielle.

Spécifications techniques

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