ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH16M8DBLL-100B1LI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 44.95 | Dhs. 44.95 |
| 15+ | Dhs. 43.53 | Dhs. 652.95 |
| 25+ | Dhs. 42.58 | Dhs. 1,064.50 |
| 50+ | Dhs. 40.21 | Dhs. 2,010.50 |
| 100+ | Dhs. 35.48 | Dhs. 3,548.00 |
| N+ | Dhs. 7.10 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | PSRAM |
| Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16M x 8 |
| Interface mémoire | HyperBus |
| Fréquence d'horloge | 100 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 40 ns |
| Temps d'accès | 40 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 24-TBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 24-TFBGA (6x8) |
| RoHS |
ISSI IS66WVH16M8DBLL-100B1LI-TR - HyperRAM PSRAM haute performance
La mémoire IS66WVH16M8DBLL-100B1LI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM pseudo HyperBus de 128 Mbits haute fiabilité, conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette solution mémoire avancée offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 100 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 40 ns, ce qui la rend idéale pour les applications embarquées gourmandes en bande passante.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haut débit : l’interface HyperBus 100 MHz avec un temps d’accès de 40 ns garantit un débit de données rapide pour les applications en temps réel.
- Configuration mémoire optimale : capacité de 128 Mbits organisée en 16 Mbits x 8, offrant une architecture mémoire flexible pour répondre à divers besoins système.
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V et plage de température de -40 °C à 85 °C pour un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles.
- Boîtier compact : le boîtier CMS 24-TFBGA (6x8) réduit l'encombrement sur le circuit imprimé.
- Conforme à la norme RoHS : Conception respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
- Conditionnement en bande et bobine : format prêt pour la production et les processus d'assemblage automatisés
Applications
Cette mémoire HyperRAM PSRAM est conçue pour les applications exigeantes, notamment les systèmes ADAS automobiles, les dispositifs IoT industriels, les équipements d'imagerie médicale, l'avionique aérospatiale, l'infrastructure de télécommunications et les plateformes informatiques embarquées hautes performances où la fiabilité et la vitesse sont primordiales.
Spécifications techniques
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