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15+ Dhs. 16.54 Dhs. 248.10
25+ Dhs. 16.18 Dhs. 404.50
50+ Dhs. 15.28 Dhs. 764.00
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IS66WVH32M8DALL-166B1LI - Circuit intégré de mémoire PSRAM HyperBus haute performance

Le circuit intégré IS66WVH32M8DALL-166B1LI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire PSRAM (Pseudo SRAM) haute performance de 256 Mbits dotée de la technologie d'interface HyperBus. Conçu pour les applications exigeantes des secteurs automobile, industriel, des télécommunications et médical, ce circuit intégré mémoire offre une vitesse et une fiabilité exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 36 ns.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 166 MHz avec un temps d’accès de 36 ns pour un traitement rapide des données
  • Grande capacité de mémoire : l'organisation de 256 Mbit (32 Mo x 8) offre un espace de stockage suffisant pour les applications complexes.
  • Interface avancée : l’interface HyperBus permet un transfert de données efficace et un nombre de broches réduit.
  • Large plage de fonctionnement : la plage de températures de -40 °C à 85 °C garantit un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles.
  • Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V optimise l’efficacité énergétique.
  • Conception à montage en surface : boîtier 24-TBGA (6 x 8 mm) pour des agencements de circuits imprimés compacts.
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales

Applications idéales

Ce circuit intégré de mémoire PSRAM est parfaitement adapté aux systèmes aérospatiaux, à l'électronique automobile, aux systèmes de contrôle industriels, aux infrastructures de télécommunications, aux dispositifs médicaux et à toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec un support à long cycle de vie.

Pourquoi choisir notre distributeur agréé ?

En tant que distributeur agréé, nous garantissons l'authenticité de nos produits, fournissons une documentation de traçabilité complète, une assistance technique pour l'intégration et une livraison internationale avec une manutention soignée. Chaque composant est accompagné de la garantie du fabricant et des certificats de conformité.

Spécifications techniques

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Plateau | Plateau
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire PSRAM
Technologie PSRAM (Pseudo SRAM)
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 32M x 8
Interface mémoire HyperBus
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 36 ns
Temps d'accès 36 ns
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 24-TBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 24-TFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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