ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH32M8DBLL-100B1LI-TR

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IS66WVH32M8DBLL-100B1LI-TR - Circuit intégré de mémoire PSRAM HyperBus haute performance

La puce IS66WVH32M8DBLL-100B1LI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une solution de mémoire PSRAM (Pseudo SRAM) haute performance de 256 Mbits dotée de la technologie d'interface HyperBus. Ce circuit intégré de mémoire avancé offre une vitesse exceptionnelle grâce à sa fréquence d'horloge de 100 MHz et son temps d'accès de 40 ns, ce qui le rend idéal pour les applications exigeantes des secteurs automobile, industriel, des télécommunications et médical.

Principales caractéristiques et avantages :

  • Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 100 MHz avec un temps d’accès de 40 ns pour un traitement rapide des données
  • Grande capacité de mémoire : l'organisation de 256 Mbit (32 Mo x 8) offre un espace de stockage suffisant pour les applications complexes.
  • Interface avancée : la technologie HyperBus permet un transfert de données efficace et un nombre de broches réduit.
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V et plage de température de -40 °C à 85 °C
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 24-TBGA (6x8) permet un gain de place précieux sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales
  • Approvisionnement fiable : Disponible en conditionnement sur bande et bobine pour assemblage automatisé

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire PSRAM est parfaitement adapté pour :

  • Systèmes électroniques automobiles et ADAS
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • équipement d'infrastructure de télécommunications
  • Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic
  • Dispositifs IoT nécessitant une mémoire rapide et fiable
  • Systèmes embarqués avec contraintes d'espace

Commandez dès aujourd'hui le IS66WVH32M8DBLL-100B1LI-TR et profitez de nos prix compétitifs, de notre chaîne d'approvisionnement fiable et de notre assistance technique experte. Tous nos produits sont accompagnés d'une documentation de traçabilité complète et d'une assurance qualité.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire PSRAM
Technologie PSRAM (Pseudo SRAM)
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 32M x 8
Interface mémoire HyperBus
Fréquence d'horloge 100 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 40 ns
Temps d'accès 40 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 24-TBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 24-TFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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