ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH4M8FALL-200B1LI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.79 | Dhs. 7.79 |
| 15+ | Dhs. 7.54 | Dhs. 113.10 |
| 25+ | Dhs. 7.38 | Dhs. 184.50 |
| 50+ | Dhs. 6.97 | Dhs. 348.50 |
| 100+ | Dhs. 6.15 | Dhs. 615.00 |
| N+ | Dhs. 1.23 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | PSRAM |
| Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Taille de la mémoire | 32 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 8 |
| Interface mémoire | HyperBus |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 35 ns |
| Temps d'accès | 35 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 24-TBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 24-TFBGA (6x8) |
| RoHS |  |
IS66WVH4M8FALL-200B1LI-TR - HyperRAM PSRAM haute performance de 32 Mbit
Le circuit intégré IS66WVH4M8FALL-200B1LI-TR d' ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire PSRAM (Pseudo SRAM) haute performance de 32 Mbits conçue pour les systèmes embarqués exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Ce dispositif HyperRAM est doté d'une interface HyperBus fonctionnant à 200 MHz, offrant un débit de données exceptionnel et une faible latence pour les applications industrielles et embarquées les plus exigeantes.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité mémoire de 32 Mbits : organisée en 4 M x 8, offrant un espace de stockage suffisant pour les applications embarquées gourmandes en données.
- Interface HyperBus : Interface série haut débit réduisant le nombre de broches tout en conservant d’excellentes performances
- Fréquence d'horloge de 200 MHz : permet un accès rapide aux données avec un temps d'accès et un temps de cycle d'écriture de 35 ns.
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 1,7 V à 2 V pour des conceptions écoénergétiques
- Large plage de températures : -40 °C à 85 °C (TA). Un fonctionnement de qualité industrielle garantit la fiabilité dans des environnements difficiles.
- Boîtier compact 24-TFBGA : encombrement réduit de 6 x 8 mm, idéal pour les circuits imprimés à espacement limité.
- Technologie de montage en surface : conditionnement en bande et bobine pour les processus d'assemblage automatisés
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications idéales
Cette mémoire PSRAM est idéale pour les objets connectés, les dispositifs portables, les contrôleurs industriels, les systèmes automobiles, les équipements médicaux et toute application embarquée nécessitant une mémoire volatile rapide à faible consommation. Son interface HyperBus simplifie la conception des cartes, tandis que sa plage de températures industrielles garantit un fonctionnement fiable même dans des environnements difficiles.
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Spécifications techniques
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