ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH8M8DALL-200B1LI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 10.26 | Dhs. 10.26 |
| 15+ | Dhs. 9.93 | Dhs. 148.95 |
| 25+ | Dhs. 9.71 | Dhs. 242.75 |
| 50+ | Dhs. 9.17 | Dhs. 458.50 |
| 100+ | Dhs. 8.09 | Dhs. 809.00 |
| N+ | Dhs. 1.62 | Price Inquiry |
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IS66WVH8M8DALL-200B1LI-TR - Circuit intégré de mémoire PSRAM HyperBus 64 Mbit haute fiabilité
La mémoire IS66WVH8M8DALL-200B1LI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire PSRAM (Pseudo SRAM) haute performance de 64 Mbits dotée de la technologie d'interface HyperBus. Conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications, cette solution de mémoire volatile offre une fiabilité et des performances exceptionnelles.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 200 MHz avec un temps d'accès de 40 ns et un cycle d'écriture de 400 ns garantit un traitement rapide des données pour les applications embarquées exigeantes.
- Interface HyperBus : Protocole d’interface mémoire avancé optimisant la bande passante et réduisant le nombre de broches pour les conceptions à espace limité
- Large plage de fonctionnement : sa plage de températures de -40 °C à 85 °C (TA) la rend adaptée aux environnements industriels et automobiles difficiles.
- Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V réduit la consommation d’énergie dans les systèmes alimentés par batterie et à faible consommation énergétique.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 24-TFBGA (6 x 8 mm) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire PSRAM est parfaitement adapté pour :
- Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
- Systèmes ADAS automobiles, d'infodivertissement et de contrôle du groupe motopropulseur
- équipements d'automatisation industrielle et de contrôle des processus
- Dispositifs d'imagerie médicale et de diagnostic
- Stations de base de télécommunications et infrastructure de réseau
- Systèmes embarqués haute fiabilité nécessitant une mémoire tampon volatile rapide
Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?
ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est un leader mondialement reconnu dans le domaine des solutions de mémoire semi-conductrice haute performance. Forte de plusieurs décennies d'expertise dans les technologies SRAM, DRAM et Flash, ISSI fournit des composants conçus pour une durabilité, une fiabilité et une disponibilité à long terme optimales – des facteurs essentiels pour les applications aérospatiales, automobiles et industrielles où les cycles de vie des produits s'étendent sur plusieurs années, voire plusieurs décennies.
Informations de commande
Référence : IS66WVH8M8DALL-200B1LI-TR
Conditionnement : Bande et bobine pour les processus d'assemblage automatisés
Quantité minimale de commande : veuillez nous contacter pour connaître les tarifs dégressifs et les délais de livraison.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | PSRAM |
| Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8M x 8 |
| Interface mémoire | HyperBus |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 400 ns |
| Temps d'accès | 40 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 24-TBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 24-TFBGA (6x8) |
| RoHS |

IS66WVH8M8DALL-200B1LI-TR.pdf