ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH8M8DBLL-100B1LI-TR

IS66WVH8M8DBLL-100B1LI-TR - PSRAM HyperBus haute performance de 64 Mbit

La mémoire IS66WVH8M8DBLL-100B1LI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire PSRAM (Pseudo SRAM) de 64 Mbits haute fiabilité, conçue pour les applications embarquées exigeantes. Cette solution mémoire avancée combine la haute densité de la DRAM avec la simplicité d'utilisation de la SRAM, éliminant ainsi le besoin de circuits de rafraîchissement complexes.

Principales caractéristiques et avantages

• Interface HyperBus haute vitesse : fréquence d’horloge de 100 MHz avec un temps d’accès de 40 ns pour un transfert de données rapide.
• Alimentation flexible : double tension d’alimentation (1,7 V-1,95 V et 2,7 V-3,6 V) pour une intégration système polyvalente.
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
• Boîtier compact 24-TFBGA : format compact de 6 x 8 mm, idéal pour les conceptions à espace restreint.
• Organisation de la mémoire 8M x 8 : optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet

Applications cibles

Cette mémoire PSRAM est conçue pour les applications à haute fiabilité, notamment les systèmes automobiles, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et les plateformes informatiques de périphérie IoT, où la constance des performances et l'intégrité des données sont essentielles.

Spécifications techniques

Ressources connexes

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