ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVO16M8DBLL-133BLI-TR

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IS66WVO16M8DBLL-133BLI-TR - PSRAM SPI octale haute performance

La mémoire IS66WVO16M8DBLL-133BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire PSRAM haut de gamme de 128 Mbit conçue pour les applications critiques exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Cette PSRAM avancée intègre une interface SPI octale, offrant un débit de données exceptionnel à une fréquence d'horloge de 133 MHz pour les systèmes embarqués les plus exigeants.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 133 MHz et une interface SPI à E/S octales garantissent un accès et un transfert de données rapides.
  • Configuration mémoire optimale : capacité de 128 Mbits organisée en 16 Mbits x 8, idéale pour la mise en mémoire tampon et le stockage temporaire des données.
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V avec une plage de température industrielle (-40 °C à 85 °C)
  • Boîtier compact : Boîtier CMS 24-TFBGA (6 x 8 mm) pour circuits imprimés haute densité
  • Cycles d'écriture rapides : un temps de cycle d'écriture de 37,5 ns permet des mises à jour de données rapides
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.

Applications idéales

Cette mémoire PSRAM est conçue pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des équipements de télécommunications, où la fiabilité et les performances sont essentielles. Son interface SPI octale réduit le nombre de broches tout en maximisant la bande passante, ce qui la rend idéale pour les conceptions à espace restreint nécessitant un accès mémoire rapide.

Spécifications techniques

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire PSRAM
Technologie PSRAM (Pseudo SRAM)
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 16M x 8
Interface mémoire SPI - E/S octales
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 37,5 ns
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 24-TBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 24-TFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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