ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVO32M8DBLL-133BLI-TR

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IS66WVO32M8DBLL-133BLI-TR - PSRAM SPI octale haute performance

L' IS66WVO32M8DBLL-133BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une solution de mémoire Pseudo SRAM haute densité de 256 Mbit conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec une interface SPI simple.

Caractéristiques principales :

  • Haute densité : l'organisation de la mémoire de 256 Mbit (32 Mo x 8) offre un espace de stockage suffisant pour les applications gourmandes en données.
  • Performances rapides : une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps de cycle d'écriture de 37,5 ns garantissent un accès rapide aux données.
  • Interface SPI octale : Interface SPI avancée – L’interface d’E/S octale maximise le débit tout en minimisant le nombre de broches.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 24-TFBGA (6 x 8 mm) permet un gain de place précieux sur la carte.
  • Large plage de tension : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour une intégration système flexible
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.

Applications idéales :

Idéal pour les systèmes automobiles, les commandes industrielles, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux, l'informatique de périphérie IoT et toute application nécessitant une mémoire tampon haute vitesse avec une connectivité à faible nombre de broches.

Spécifications techniques :

Pourquoi choisir cette PSRAM ? Ce circuit intégré de mémoire combine la haute densité et la vitesse de la DRAM avec la simplicité de la SRAM, éliminant ainsi le besoin de circuits de rafraîchissement complexes. L’interface SPI octale offre une excellente bande passante tout en restant compatible avec les contrôleurs SPI standard.

Disponible en conditionnement sur bande et bobine pour assemblage automatisé. Contactez-nous pour connaître nos tarifs dégressifs et bénéficier d'une assistance technique.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire PSRAM
Technologie PSRAM (Pseudo SRAM)
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 32M x 8
Interface mémoire SPI - E/S octales
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 37,5 ns
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 24-TBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 24-TFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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