ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVQ16M4DBLL-200BLI-TR

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire -
Format de mémoire -
Technologie -
Taille de la mémoire -
Organisation de la mémoire -
Interface mémoire -
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Tension - Alimentation -
Température de fonctionnement -
Grade -
Qualification -
Type de montage -
Emballage / Étui -
Emballage du dispositif du fournisseur -

IS66WVQ16M4DBLL-200BLI-TR - Circuit intégré de mémoire DRAM Quad SPI haute performance

Le circuit intégré IS66WVQ16M4DBLL-200BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire DRAM Quad SPI de 64 mégabits haut de gamme, conçue pour les applications industrielles, automobiles et électroniques embarquées exigeantes. Cette solution mémoire haute fiabilité offre des performances exceptionnelles avec une fréquence d'horloge de 200 MHz et fonctionne sur une large plage de tensions (de 2,7 V à 3,6 V), ce qui la rend idéale pour les conceptions sensibles à la consommation d'énergie.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité de mémoire de 64 Mo : espace de stockage suffisant pour les applications embarquées gourmandes en données.
  • Interface Quad SPI : interface périphérique série haute vitesse pour un transfert de données rapide
  • Performances à 200 MHz : temps d’accès rapides pour les opérations critiques.
  • Large plage de tension : fonctionnement de 2,7 V à 3,6 V pour une alimentation flexible.
  • Conditionnement en bande et bobine : format prêt pour la production et l'assemblage automatisé
  • Fiabilité de niveau industriel : Conçu pour une longue durée de vie et des environnements difficiles

Spécifications techniques

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