ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVQ16M4FBLL-200BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.20 | Dhs. 8.20 |
| 15+ | Dhs. 7.96 | Dhs. 119.40 |
| 25+ | Dhs. 7.79 | Dhs. 194.75 |
| 50+ | Dhs. 7.35 | Dhs. 367.50 |
| 100+ | Dhs. 6.49 | Dhs. 649.00 |
| N+ | Dhs. 1.30 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | PSRAM |
| Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 4 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 35 ns |
| Temps d'accès | 6,5 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 24-TBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 24-TFBGA (6x8) |
| RoHS |
IS66WVQ16M4FBLL-200BLI-TR - PSRAM Quad SPI haute performance de 64 Mbit
La mémoire IS66WVQ16M4FBLL-200BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire PSRAM (pseudo SRAM) haute performance de 64 Mbits conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Cette solution mémoire avancée combine la haute densité de la DRAM et la simplicité d'utilisation de la SRAM, éliminant ainsi le besoin de circuits de rafraîchissement complexes et offrant une fiabilité exceptionnelle pour les systèmes critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : une fréquence d’horloge de 200 MHz et un temps d’accès de 6,5 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques, permettant un traitement en temps réel et une grande réactivité du système.
- Interface SPI quadruple : L’interface SPI à quatre E/S maximise le débit tout en minimisant le nombre de broches, ce qui est idéal pour les conceptions à espace restreint et réduit la complexité du circuit imprimé.
- Organisation de la mémoire flexible : configuration 16 M x 4 (capacité totale de 64 Mbits) optimisée pour les systèmes embarqués nécessitant une mise en mémoire tampon efficace des données et un stockage temporaire.
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V et plage de température de -40 °C à 85 °C, compatible avec les environnements automobiles et industriels et offrant une fiabilité accrue.
- Conception à montage en surface : le boîtier 24-TFBGA (6x8) permet des agencements de circuits imprimés compacts et un assemblage automatisé, réduisant ainsi les coûts de fabrication.
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement, conforme aux normes réglementaires internationales relatives aux appareils électroniques sans plomb.
- Faible consommation d'énergie : la gestion optimisée de l'alimentation prolonge l'autonomie de la batterie dans les applications portables et IoT.
- Intégration simple : la compatibilité avec le protocole SPI standard simplifie le développement du firmware et réduit les délais de mise sur le marché.
Applications idéales
Cette mémoire PSRAM est parfaitement adaptée aux objets connectés, aux dispositifs portables, aux systèmes d'infodivertissement automobiles, aux contrôleurs industriels, aux équipements médicaux, aux appareils domotiques, aux plateformes de calcul en périphérie et à toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable, avec une consommation d'énergie et un encombrement minimaux. Sa fréquence de 200 MHz la rend idéale pour la mise en mémoire tampon de flux de données à haut débit, les tampons d'affichage et l'exécution temporaire de code.
Spécifications techniques
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