ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVQ4M4DALL-200BLI-TR

Le circuit intégré de mémoire PSRAM (pseudo SRAM) IS66WVQ4M4DALL-200BLI-TR de 16 Mbits, hautes performances, est conçu par ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant des solutions de mémoire volatile fiables. Ce composant de mémoire avancé est doté d'une interface SPI Quad E/S cadencée à 200 MHz, offrant des débits de transfert de données exceptionnels pour les applications les plus exigeantes.

Caractéristiques techniques clés :

• Capacité mémoire : 16 Mbit organisés en 4M x 4
• Interface : E/S quadruple SPI pour communication série à haut débit
• Fréquence d'horloge : fréquence de fonctionnement maximale de 200 MHz
• Temps de cycle d'écriture : 40 ns pour les opérations sur les mots et les pages
• Tension d'alimentation : 1,7 V à 1,95 V (fonctionnement à faible consommation)
• Température de fonctionnement : Qualité industrielle -40 °C à 85 °C (TA)
• Boîtier : Boîtier compact 24-TFBGA (6 x 8 mm) pour montage en surface
• Conditionnement : Bande et bobine (TR) pour assemblage automatisé

Applications et avantages :

Ce circuit intégré PSRAM est idéal pour les objets connectés, les dispositifs portables, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile et les produits grand public portables où une faible consommation d'énergie et un accès mémoire rapide sont essentiels. Son interface SPI quadruple assure un débit de données efficace tout en minimisant le nombre de broches, ce qui le rend parfait pour les conceptions à espace restreint.

Qualité et conformité :

Conforme à la directive RoHS, garantissant la responsabilité environnementale et la conformité réglementaire pour les marchés internationaux. Bénéficiant de la réputation d'ISSI en matière de disponibilité sur le long terme et d'assistance technique dédiée aux clients OEM et intégrateurs de systèmes.

Produits et ressources associés :

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