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25+ Dhs. 6.54 Dhs. 163.50
50+ Dhs. 6.18 Dhs. 309.00
100+ Dhs. 5.45 Dhs. 545.00
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire PSRAM
Technologie PSRAM (Pseudo SRAM)
Taille de la mémoire 32 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S
Fréquence d'horloge 104 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 7 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 80°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOIC

IS66WVR4M8ALL-104NLI-TR - PSRAM Quad SPI haute performance de 32 Mbits

La mémoire IS66WVR4M8ALL-104NLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM pseudo haute fiabilité de 32 Mbits conçue pour les applications embarquées exigeantes dans les secteurs industriel, automobile, de l'IoT et de l'électronique grand public. Dotée d'une interface SPI quadruple, elle offre des performances exceptionnelles grâce à sa fréquence d'horloge de 104 MHz et son temps d'accès ultrarapide de 7 ns, ce qui la rend idéale pour la mise en mémoire tampon des données, le masquage de code et les tâches de traitement en temps réel.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 104 MHz et un temps d'accès de 7 ns garantissent un débit de données rapide pour les applications critiques en termes de temps.
  • Interface SPI quadruple : bande passante améliorée grâce à l’interface d’E/S SPI quadruple, réduisant le nombre de broches tout en maximisant les débits de transfert de données.
  • Organisation flexible de la mémoire : la configuration 4 M x 8 offre un adressage polyvalent pour diverses architectures système.
  • Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 1,65 V à 1,95 V permet des conceptions à faible consommation et une compatibilité avec les processeurs modernes.
  • Plage de températures industrielles : -40 °C à 80 °C (TA). Un fonctionnement fiable est garanti même dans des environnements difficiles.
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 8-SOIC (largeur de 3,90 mm) optimise l'espace sur la carte.
  • Conditionnement en bande et bobine : le conditionnement TR prêt pour la production prend en charge les processus d’assemblage automatisés

Applications idéales

Cette PSRAM est parfaitement adaptée aux systèmes d'infodivertissement automobiles, aux unités de contrôle industrielles, aux dispositifs périphériques IoT, à l'instrumentation médicale, aux équipements de réseau et à tout système embarqué nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec un fonctionnement simple de type SRAM et une densité de niveau DRAM.

Spécifications techniques

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