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Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 8.65 Dhs. 8.65
15+ Dhs. 8.37 Dhs. 125.55
25+ Dhs. 8.19 Dhs. 204.75
50+ Dhs. 7.74 Dhs. 387.00
100+ Dhs. 6.83 Dhs. 683.00
N+ Dhs. 1.37 Price Inquiry
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire PSRAM
Technologie PSRAM (Pseudo SRAM)
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 8M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S
Fréquence d'horloge 104 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 7 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 80°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOIC
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

L' IS66WVR8M8FALL-104NLI est un circuit intégré de mémoire PSRAM (Pseudo SRAM) haute performance de 64 Mbits d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.), conçu pour les systèmes embarqués exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Doté d'une interface SPI Quad E/S avancée avec une fréquence d'horloge de 104 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 7 ns, cette solution mémoire offre des performances exceptionnelles pour les applications critiques des secteurs industriel, automobile, des télécommunications et aérospatial. Son architecture 8M x 8 et sa large plage de températures de fonctionnement (-40 °C à 80 °C) la rendent idéale pour les environnements exigeants où la fiabilité est primordiale.

Spécifications techniques

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