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Prix habituel Dhs. 8.02
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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 8.02 Dhs. 8.02
15+ Dhs. 7.76 Dhs. 116.40
25+ Dhs. 7.59 Dhs. 189.75
50+ Dhs. 7.17 Dhs. 358.50
100+ Dhs. 6.32 Dhs. 632.00
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire PSRAM
Technologie PSRAM (Pseudo SRAM)
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 8M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S
Fréquence d'horloge 104 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 7 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 80°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOIC

IS66WVR8M8FALL-104NLI-TR - Circuit intégré de mémoire PSRAM Quad SPI 64 Mbit

Le circuit intégré de mémoire PSRAM (Pseudo SRAM) IS66WVR8M8FALL-104NLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute performance de 64 Mbits dotée d'une interface SPI quadruple pour des transferts de données rapides et une faible consommation. Cette solution mémoire de qualité industrielle offre des performances fiables sur une large plage de températures, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués, les objets connectés, l'automatisation industrielle et les applications critiques.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 104 MHz et un temps d'accès de 7 ns garantissent un traitement rapide des données.
  • Interface Quad SPI : Débit amélioré grâce aux E/S quadruples SPI pour une communication série efficace
  • Organisation optimale de la mémoire : la configuration 8M x 8 offre une gestion flexible des données
  • Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 1,65 V à 1,95 V réduit la consommation d’énergie.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 80 °C pour les environnements difficiles.
  • Boîtier compact : Boîtier de montage en surface 8-SOIC (largeur de 3,90 mm)
  • Prêt pour la production : Conditionnement en bande et bobine pour les processus d’assemblage automatisés

Applications

Cette mémoire PSRAM est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile rapide avec connectivité d'interface série. Elle est couramment utilisée comme mémoire tampon pour microcontrôleurs, dans les systèmes d'acquisition de données, les unités de contrôle industriel, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et les plateformes de calcul en périphérie pour l'Internet des objets (IoT).

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