ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVS1M8ALL-104NLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 6.07 | Dhs. 6.07 |
| 15+ | Dhs. 5.86 | Dhs. 87.90 |
| 25+ | Dhs. 5.73 | Dhs. 143.25 |
| 50+ | Dhs. 5.41 | Dhs. 270.50 |
| 100+ | Dhs. 4.78 | Dhs. 478.00 |
| N+ | Dhs. 0.96 | Price Inquiry |
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IS66WVS1M8ALL-104NLI-TR - PSRAM SPI octale haute performance
L' IS66WVS1M8ALL-104NLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un circuit intégré de mémoire Pseudo SRAM (PSRAM) de 8 Mbit de qualité supérieure conçu pour les applications embarquées, industrielles, automobiles et IoT nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec un encombrement compact.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 104 MHz et un temps d'accès de 7 ns garantissent un débit de données rapide pour les applications critiques en termes de temps.
- Interface flexible : l’interface SPI octale (Serial Peripheral Interface) avec prise en charge QPI permet une communication efficace avec les microcontrôleurs et les processeurs.
- Configuration mémoire optimale : capacité de 8 Mbit organisée en 1 Mo x 8, idéale pour la mise en mémoire tampon, la mise en cache et le stockage temporaire de données.
- Fiabilité de niveau industriel : une large plage de températures de fonctionnement (-40 °C à 85 °C) garantit des performances stables même dans des environnements difficiles.
- Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 1,65 V à 1,95 V réduit la consommation d’énergie dans les conceptions alimentées par batterie et à faible consommation énergétique.
- Boîtier compact : le boîtier CMS 8-SOIC (largeur de 3,90 mm) optimise l'espace sur le circuit imprimé.
- Prêt pour la production : l’emballage en bande et bobine simplifie les processus d’assemblage automatisés
Applications typiques
Ce circuit intégré PSRAM excelle dans des applications telles que les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs IoT périphériques, la technologie portable, l'instrumentation portable et l'extension de mémoire FPGA, où une mémoire volatile rapide avec une interface série simple est requise.
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Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | PSRAM |
| Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Taille de la mémoire | 8 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 1M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - E/S octales |
| Fréquence d'horloge | 104 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
| RoHS |

IS66WVS1M8ALL-104NLI-TR.pdf