ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVS1M8BLL-104NLI-TR

IS66WVS1M8BLL-104NLI-TR - Circuit intégré de mémoire PSRAM haute performance de 8 Mbit

Le IS66WVS1M8BLL-104NLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un circuit intégré de mémoire Pseudo SRAM (PSRAM) haute performance de 8 Mbit conçu pour les systèmes embarqués, les applications industrielles et les dispositifs IoT nécessitant une mémoire volatile fiable et rapide avec une interface série simple.

Principales caractéristiques et avantages

• Capacité mémoire de 8 Mbits : l’organisation 1M x 8 offre un espace de stockage suffisant pour la mise en mémoire tampon des données, l’exécution du code et le stockage temporaire des données.
• Prise en charge de deux interfaces : les interfaces SPI et QPI (Quad SPI) offrent des options d’intégration flexibles avec un débit de données maximal.
• Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 104 MHz et un temps d'accès de 7 ns garantissent un accès rapide aux données pour les applications critiques en termes de temps.
• Large plage de tension de fonctionnement : plage de tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V compatible avec la plupart des systèmes embarqués.
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
• Boîtier SOIC 8 broches compact : conception à montage en surface peu encombrante (largeur de 3,90 mm), idéale pour les circuits imprimés compacts.
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l’environnement et sans plomb, conforme aux normes internationales.

Applications idéales

Ce circuit intégré PSRAM est parfaitement adapté à l'électronique automobile, aux contrôleurs industriels, aux dispositifs médicaux, aux produits IoT grand public, aux technologies portables et à toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec des interfaces série à faible nombre de broches.

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Spécifications techniques

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